• Không có kết quả nào được tìm thấy

Nghiên cứu, chế tạo mô đun phát tín hiệu mã pha trong radar dải sóng dm

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2022

Chia sẻ "Nghiên cứu, chế tạo mô đun phát tín hiệu mã pha trong radar dải sóng dm"

Copied!
7
0
0

Loading.... (view fulltext now)

Văn bản

(1)

T ạp chí K hoa h ọ c Đ ại học Q u ố c gia H à Nội, K hoa học T ự n h iê n v à C ô n g n g h ệ 24 (2008) 214-220

Nghiên cứu, chế tạo mô đun phát tín hiệu mã pha trong radar dải sóng dm

Đỗ Trung Kiên'’*, Bạch Gia Dương^, Vũ Tuấn Anh^, Phạm Văn Thành'

‘ T rư ờ n g Đ ạ i h ọ c K h o a h ọ c Tự nhiên, Đ H Q G H N , 3 3 4 N g u yễ n Trãi, H à N ội, V iệt N am

^T rư ờn g Đ ạ i h ọ c C ô n g nghệ, Đ H Q G H N , Ỉ 4 4 X u â n Thủy, H à N ội, Việt N a m Nhận ngày 25 tháng 02 năm 2008

T óm tắ t. B ài báo trình bày m ột số kết quà thực nghiệm ừ on g chế tạo bộ phát của radar xung. Kít phát triển vi điều khiển PIC 16F877A phát ra mã Barker 13 bít và một số mã đa dạng khác thường được sử dụng trong các hệ thống radar. B ộ dao động nội được thiết kế ừ o n g phạm v i dài tần từ 80ỎMHz đến 900M H z bởi bộ tổ hợp tần số L M 2 316 và mạch VCO. Tần số của bộ dao động có thể dễ dàng thay đ ồi với sự kết hợp của PIC 16F877A . B ộ khuếch đại côn g suất cao tần được chế tạo có côn g suất xung lối ra 90W sử dụng công nghệ m ạch dải cho phối hợp trở kháng lối vào và lố i ra của transistor cao tần.

Từ khỏa: M ã Barker, nén xung, dao động nội, khuếch đại công suất cao tần, m ạch dải.

1. G iói thiệu

Nén xung là kĩ thuật được sừ dụng để có được công suất trung bình của tín hiệu phát trong khi vẫn đảm bảo được độ phân giải cao cho hệ thống định vị vô tuyến. Nén xung được thực hiện bằng các bộ lọc phối họp hoặc dùng các hàm tương quan. Trong số các dạng sóng sử dụng trong k ĩ thuật nén xung, các mã Barker có các hàm tự tương quan rất thích hợp cho các kĩ thuật radar xung.

Bài toán liên quan đến kĩ thuật radar có rất nhiều phần liên quan đến lĩnh vực truyền Ihông sóng ngắn. Với bộ khuếch đại công suất cao tần, tại đầu ra của bộ phát, tín hiệu cần được khuếch đại ừước khi truyền. Khuếch đại công suất cao tần là phần không thể thiếu trong các ứng dụng truyền dẫn qua ăng-ten.

* Tác già liên hệ. ĐT; 84-4-8582254.

E-mail; dtkien@vnu.edu.vn

Tại các vùng tần số thấp, việc thiết kế các bộ khuếch đại không khó khăn gl mà chi có một chút chú ý khi lựa chọn điểm làm việc cho transistor sao cho có được công suất lối ra cực đại. Nhưng với bộ khuếch đại hoạt động trong miền tần số cao, cờ 900MHz thì cần phải sử dụng kĩ thuật mạch dải.

2. M ột số lí thuyết của hệ radar

Sơ đồ khối đơn giản cùa một bộ phát radar được trình bày trên Hình 1 [1].

Hình 1. Sơ đồ khối cùa m ột bộ phát radar.

Khối phát dạng sóng (waveform generator) gồm mô đun mã pha đề tạo ra các mã cụ thể cho 214

(2)

Đ.7. Kiên vả ỉíĩứ. Ị Tạp chí Khoa học ĐHQGHN, Khoa học T ự Nhiên và Công nghệ 24 (2008) 214-220 2 1 5

xung mã pha; khối dao động nội ổn định (stable

lo c a l o s c illa to r - S ta L o ) phát ra d a o đ ộ n g ồn

định tần sổ RF đề trộn trung tần cho khối phát và tách trung tần cho khối thu. Khối trộn (mixer) chính đề thực h iện nhiệm vụ trộn này.

Khối khuếch đại công suất cao tần (microwave power a m p lifie r ) đ ể c u n g cấ p đù n ă n g lư ợ n g

cần thiết cho tín hiệu radar trước khi truyền phát ra ăng-ten để thực hiện việc truyền thông

trên c á c q u ã n g đ ư ờ n g dài.

2.L Mã Barker [2,3]

Nén xung là một kĩ thuật quan trọng không

th ể th iế u tr o n g q u á trình x ử ỉí tín h iệu thu v ề

của radar để phân tích c^c thông tin của mục tiêu. Trong quá trình nén xung, một xung dài độ

rộ n g T đ ư ợ c c h ia thành N x u n g n h ỏ h ơ n , m ỗ i

xung có độ rộng Ax = t/N. Pha của mỗi xung nhò này theo điều chế khóa dịch pha nhị phân (binary phase shift keying signal - BPSK) thì sẽ chọn pha 0 cho bít “ 1” hoặc điện áp pha 71 cho bít “0” hoặc điện áp Mã Barker được

ưa c h u ộ n g V! đ ỉn h củ a th ù y ch ín h tr o n g h àm tự

tương quan (autocoưelation function) có độ cao chính bằng N, N là độ dài của mã Barker, trong khi độ cao của thùy phụ hai bên chỉ bằng 1. Một số mã Barker nổi tiếng được trinh bày trong Bảng 1. Tín hiệu và hàm tự tương quan của mã Barker 13 bít được chỉ ra trên Hình 2 và Hinh 3.

B ảng 1. M ột số mã Barker quan trọng Chiều dài Mã và độ suy giảm của thùy phụ (dB)

+ + + + + + + . +

2 10 (6.0)

3 110 (9.5)

4 1110 (12.0)

5 11101 (14.0)

7 11 10 01 0 (16.9)

11 1 11 00 0 1 0 0 1 0 (20.8)

13 1111100110101 (22.3)

Hình 2. M ã Barker 13 bít và tín hiệu BPSK tương ứng.

2.2. Khuếch đại công suất cao tần [4]

Đây là khối mạch không thể thiếu trong truyền dẫn sóng điện từ qua ăng-ten. Việc thiết kế khối này bao gồm việc chọn và ổn định điểm làm việc tĩnh cho transistor, đo lường các tham số s , thiết kế mạch dải cho phối hợp trờ kháng lối vào và lối ra, đo lường các thông số kĩ thuật của mạch. Sơ đồ khối cơ bản của mạch khuéch đại được chỉ ra trong Hình 4.

2o

Hình 4. M ô hình khối khuếch đại cô n g suất.

Hoạt động của các phần tử tại các tần số cao tần cần được phân tích sử dụng các tham số về tán xạ [S] {scattering). Các tham số này được xác định theo các sóng tương ứng.

(3)

216 Đ.T. Kiên và nnk. Ị Tạp chí Khoa học ĐHQ GHN, Khoa học Tự Nhiên và Công nghệ 24 (2008) 214-220

v ;

(1)

Vj^ =0 for k^ì

Các bộ phận để phối hợp frở kháng lối vào và lối ra cho mạch transistor Ựnput/Ouíput matching circuit) ở đây sử dụng kỹ thuật mạch dải. Hệ số khuếch đại tổng cộng Gt= Gs.Gq.Gl

Gt = Q - 1- r , ^

|-S „ r3 l - S 22rL

(2)

Với Gs, Go, Gl là các hệ số khuếch đại chỉ ra trong hình 4. Ts, T l là các hệ số phản xạ tại nguồn và tại tài.

3. Các kết quả thực nghiệm

3.1. Tạo mã Barker 13 bít sừ dụng bo mạch vi điều khiển PICI6F877A

Kít phát triển cho vi điều khiển PIC16F877A được xây dựng để có thể tạo ra bất cứ mã Barker nào đề cập trong Bảng 1.

Ngoài ra với tốc độ xử lí nhanh và sự linh động tiện lợi của vi điều khiển, bo mạch có thể tạo ra bất cứ một mã nào khác dùng cho yêu cầu của radar (Hình 5).

M ã Barker 13 bít trong Hình 6 được tạo ra với đầy đủ các thông số kĩ thuật cần có trong thực tế cho một hệ radar: độ rộng bít 2\xs, chiều dài cả chuỗi 13 bít là 26|IS, tần số lặp lại xung 1kHz.

Ngoài ra vi điều khiển còn đưa ra tại 2 chân khác là xung nhịp đồng hồ và một xung đơn đánh dấu bắt đầu của chuỗi bít.

Khi người lập trinh muốn phát ra một mã khác, có thể dễ dàng thay đổi trong chương trình c nạp vào vi điều khiền.

Hình 5. Kít phát triển PIC 16F877A .

Hình 6. M ã Barker N = 13.

3.2. Khối tạo dao động nội

LM2316 được dùng cùng với khối dao động điều khiển bàng điện áp v c o (Voltage Controlled Oscillator) để phát ra một tín hiệu nhiễu rất thấp, ổn định để điều khiển bộ dao động nội của bộ thu phát radar. Tần số cùa dao động nội có thể linh hoạt thay đồi bời dữ liệu phát ra từ vi điều khiển PIC16F877A đầy vào trong thanh ghi dữ liệu 21 bít của LM 2316.

Trong nội dung thực nghiệm yêu cầu, chúng tôi đã điểu chinh để dải tần của khối dao động nội có thể tùy biến từ 800MHz đến 900MHz.

Sai số của tần số phát là 10Hz tươiig đương chất lượng ổn định của thạch anh. Hinh 7 và Hinh 8 chụp từ mạch thực nghiệm, Hình 9 là tần số tín hiệu đo trên máy phân tích phổ.

(4)

Đ.T. Kiên và nnk. / Tạp chí Khoa học ĐHQGHN, Khoa học T ự Nhiên và Công nghệ 24 (2008) 214-220 2 1 7

Hình 7. Khối tồ hợp tần số L M 2316.

Hình 8. Mạch v co .

Hình 9. Tần số dao động trên máy phân tích phồ R 3131A .

3.3. Khối khuếch đại công suất cao tần công suất xung 90W

Mô đun khuếch đại công suất làm việc trong chế độ xung, công suất xung 90W được thiết kế chế tạo trên công nghệ mạch dải (Microsừip).

Sơ đồ nguyên lý tầng khuếch đại công suất 90w được trình bày trong Hình 10

■&

Ậa./

ĩ» m wV- >«'

. c* _ o

± ‘

Xo U ' Ic, i>o.

ỴĨ f ỷ Tij"

- ~iTV-f«-Ị—fĩẽ-Ị

p . . i r .

1..

Ị.„ ị„ - - -

Hình 10. Sơ đồ nguyên lý mạch khuếch đại công suất cao tần.

Công suất ra có thể điều chinh nhờ điều chỉnh điện áp phân cực trong sơ đồ nguyên lý trên Hình 10. Trong đó biến ừở R5 điều chỉnh điện áp phân cực cùa ừansistor.

Các bộ lọc nguồn được trình bày trong sơ đồ làm ổn định chế độ làm việc, lọc nhiễu và tránh tự kích cho tầng khuếch đại.

Transistor Q1 làm nhiệm vụ dịch mức lối ra của IC ổn áp LM7805.

Bộ lọc gồm C l, C2, C3, R l, R2 có nhiệm vụ lọc điện áp phân cực cho cực cửa (cực G).

Bộ lọc gồm C7, C 8, C9, CIO, C l l , C16, C17, C18, C19, C20, các cuộn chặn LI và L2 có nhiệm vụ lọc điện áp máng (cực D) cho ừansistor MOSFET.

Sử dụng điện ứở phức trên giản đồ Smith Hình 11 để thiết kế mạch dải phối hợp frở kháng với điện trờ lối vào và lối ra ừong dải tần số từ 830MHz tới 900MHz. Trờ kháng vào ra cùa transistor ở tần số từ 830MHz tới 860MHz

(5)

218 Đ.T. Kiên và nnk. Ị Tạp chỉ Khoa học ĐHQ GHN, Khoa học T ự N hiên và Công nghệ 24 (2008) 214-220

được tính từ phương pháp ngoại suy tuyến tính trên giản đồ Smith. Các tham số mạch dải khi sử dụng mảng mạch in PCB loại FR4 tính toán từ phần mềm thiết kế mô phỏng Ansoft được trình bày trên Bảng 2.

m1

tre q s « 5 0 .0 M H z d 8 ( S ( 2 . ĩ )=^0.4B^

Hình 11. B iểu đồ Smith tính toán trở kháng lối vào và lối ra của transistor.

Bảng 2. Các thông số mạch dải tính bởi phần mềm A nsoft

M ach dải (li) Z o (íí) Đ ộ dài điện (Đ ộ)

1. 2.2784 12,6282

I2 11.3663 57 .43 94

I3 10.7038 34 .62 79

I4 49.7781 90 .02 68

I5 10.7038 6 .2 8 8 5 6

ũ 10.0064 6.8 77 89

I7 49.7781 90 .02 68

1 8 49.7781 90 ,02 68

I9 10.0064 51.3795

lio 12.1954 44 .88 28

In 54.8981 79 .16 19

Kết quả mô phỏng dùng phần mềm ADS với hệ số truyền, khuếch đại công suất, hệ số sóng đứng và các tham số Sn Si2 S21 S22 khi ghép nối với tải vào/ra 50ÍÍ được trinh bày trên Hinh 12.

...' ' X

\; / m4““' ' I \ ;

frẹ(Ị=B5Ọ.0MH_z I • '

<iMg2jg28?3d

tnq.GHx ( re q .O H ỉ

I \ . freqae&O.OM Hz [m 2 ■ '

'm2 ■ 0 Oỉ 0< ot sa ie

Hình 12. Các tham số s mô phỏng tại 850M H z.

M ạ c h đ iệ n cù a k h ố i k h u ế c h đại c ô n g suất c a o tần lắ p ráp tr o n g th ự c tế đ ư ợ c đ ư a ra tro n g

Hình 13

Hình 13. K hối khuếch đại cô n g suất cao tần dùng mạch dải.

- Chế độ làm việc của Transistor được chọn

n h ờ đ iệ n áp p h ân c ự c Ug c ù n g v ớ i b iê n đ ộ tín h iệ u v à đ ể c h o tr a n sisto r là m v i ệ c tro n g c h ế đ ộ

AB.

- Dải thông bộ khuếch đại (dải tần số công tác) 820M Hz tới 890MHz, ừong dải tần làm việc độ nhấp nhô biên độ không quá 1 dBm

- Trở kháng vào ra 50Ũ.

- Đầu nối kiểu SMA ch u ẩ n , dây cáp RG-58 A/U

(6)

Đ.T. Kiên và nuk. / Tạp chí Khoa học Đ H Q G H N , Khoa học T ự Nhiên và Công nghệ 24 (2008) 214-220 219

- M ạch in P C B là m ạ ch d ả i (M ic r o s tr ip ), tham số hàrm s ổ đ iộn m ô i Gr, đ ộ d à y ló p đ iệ n rnôi h, độ d ày ló p dẫn d iện T đ ư ợ c đ o tạ r c tiếp khi s ử d ụ n g m ả n g m ạ c h P C B h o ặ c th e o th am số kỹ thuật củ a n h à sản xuất.

- Đ ộ rộn g xurm tồi đa 2 1 0 ịìs , c h u k ỳ lập lại 20 00 |.iS , cô n ti su ấ t tín lìiộu v à o c ự c đ ại 3 0 d B m , c ô n g suất ra tru n g bình k h ô n g n h ò h ơ n 4 0 d B in đ o trcMì m áy đ o c ô n g suất, tư ơ n g ÚTig v ớ i c ô n g suất x u n g k h ô n íi n h ỏ h ơn 9 0 W .

- N g u ồ n n u ô i : N íĩu ồ n m ộ t c h iề u 1 2 V và 2 4 V c ô n g suất 2 5 0 W

- D iề u k iện làm v iệ c ;

+ N h iệ t đ ộ m ô i tr ư ò n g -2 0 ° tó i 7 0 ”

+ Độ ẩm inôi triro’ng 100%

- Toàn bộ tầng khuếch đại được gắn trên phiến tỏa nlụột hợp kim nhôm và được tản nhiệt bằng quạt thông gió.

Kết quà được kiểm tra trên máy phân tích phổ và đo đạc trên máy phân tích mạng về đặc trưng tần số biên độ như Hình 14 và Hinh 15.

'Xìm

HtMMf

Ì r. '• Í9ị;iẽs tìh < ' . V

ỆỊl ;

#1

Hình 14. Đặc trưng tần số đánh dấu tại 612.5H M z.

$21 LQỈI ^ w ứữ |ỉ&/

_ ,-— r r --- r -

m RKER 6 ^

í 753MHZ ’ ' _L _

••• - ...•• ... •• ...

1 ' - vt

^ Ị - f . -

# 1 _ J _1J__J __íỉ__ Ii_:_i__ I___

-ặdK ấlttlTM IIU '-W S W l M i

U SĨ^.

^ l ĩ' 5sa.2«s«2

2 ĩ 0 ? S .« 3 « M 8 I 3.- J fO Í.? S U « Z •

.ỉí Í.CM 8B66Í»

e;7 * < I t ;

«; ''

ỉíí

, i Ì f \ Ì 9 Ỉ Á

9.USỈ& Ii»

•?.wã re./M afc

• &, s&ứ iiB

« '.» 4 4 <m

Hình 15. Đặc trưng tần số đánh dấu tại 753.0HM Z.

Đe nâng công suất cao hơn, một giải pháp đã được thử nghiệm là cộng công suất từ các mô đun thành phần sử dụng các bộ Dividers/Combiners công suất lớn. Việc chế tạo thành công các mô đun cơ sờ cho các bộ cộng là công đoạn quan ừọng nhất cho việc chế tạo máy phát cao tần công suất lớn.

4. K ết luận

Sử dụng vi điều khiển PIC16F877A, mã Barker cùa tín hiệu radar có thể được tạo ra rất dễ dàng với khả năng rất linh hoạt trong việc thay đổi độ rộng xung, chu kì !ặp lại xung. Đây hoàn toàn là một ưu điểm nồi bật so với các phương pháp truyền thống sử dụng các 1C số trong các mạch điện phức tạp mới có thể tạo ra các mã này. Hơn nữa, theo các mạch cũ đó, do độ ừễ tổng cộng cùa rất nhiều linh kiện sẽ không thể thu được các mã có độ rộng xung hẹp, thời gian chuyển mức gần như tức thời như trong mạch dùng vi điều khiển. Ngoài ra, mạch vi điều khiển ừong thực nghiệm này còn được dùng để điều chỉnh tần số của khối dao động nội mà không cần thay đổi các thông sổ linh kiện của mạch.

(7)

220 Đ.T. Kiên và nnk. / Tạp chí Kỉioa học Đ H Q GHN, Khoa học T ự Nhiên và Công nghệ 24 (2008) 214-220

Khối khuếch đại công suất cao tần cũng đã được lắp ráp thành công với việc tính toán mô phòng và chế tạo thực tế phần mạch dải kết hợp với transistor cao tần để có được sự phối họp ừở kháng tốt. Đây

một kết quả bước đầu tốt đẹp để tiếp tục xây dựng các bộ cộng công suất để có được máy phát công suất cao tần công suất lớn.

Tài

liệu

tham khảo

[1] R. Mahafza Basscm, M atỉah Simulation fo r R adar Systems Design, Chapman & Haỉì /CRC, United State o f America, 2004.

[2] Wemcr W iesbeck, Lecture Script o f Radar System Engineering, Institute for Very High Frequency Technology and Electronics, Gerrnany, 2007

[3] Nadav Levanon, R adar Signals, W iley and Sons, Inc., United State o f America, 2004 [4] M. Pozar David, M icrow ave Engineering,

Sccond Edition, W iley and Sons, Inc., United State o f America, 1998.

Research, fabrication o f a transmitter o f phased-code dm pulse radar system

Do Tmng Kien', Bach Gia Duong^, Vu Tuan Anh^, Pham Van Thanh'

^ C ollege o f S cien ce, VNƯ, 3 3 4 N g iiyen Trai, H a n o i, V ietnam

^ C o lle g e o f T ech n ology, VNƯ, 144 X uan Thuy, H a n o i, V ietnam

This paper reports some o f the experimental results o f a pulse radar transmitter. A kit of microconữoller PIC16F877A generates a 13-bit Barker code and various other codes that often use in the radar system. A stable local oscillator is designed with the range o f 800MHz to 900MHz by LM 2j16 and v c o circuit. The frequency o f the oscillator can be easily changed w ith the help o f the PIC16F877A above. A microwave power amplifier is fabricated that have output pulse power o f 90W using a rTiicroslrip tcclinique for input/outpul matching network.

Tài liệu tham khảo

Tài liệu liên quan

Determining regulated threshold and time of switching and changing parameters of regulators are controlled by microprocessor and power electronic

This paper investigates the solution to an optimisation problem to minimise the total transmission power at the transmitter in a cooperative non-orthogonal multiple access (NOMA)

Design and Fabrication of an X-Band Low Noise Amplifier Using FR-4 for Military Radar and Ground Station Receiver Applications.. Ta Phuong Linh 1,* , Tran Chinh Doan 2 , Bach

The measurement results have proved that the dev-kit is work well with low power consumption and long connection while keeping a well-received signal

Furthermore, the bandgap value was reduced from 3.55 eV in pure TNT to 3.44 eV in the composite, thereby, the enhancement of light absorption could induce better

These collections vvere collected from 4 residential areas of Vietnam (North, South, Centre and Central highland area).. This study revealed that there is an

IvieẠỊìuì niaiitfolds of per'iodic systems.. Theory of Lyct- puTiov

In this paper, we study the effects of power-law correlations on the transmission and the longitudinal localization of plane waves in a 1D disordered lattice